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IRF532	文件：390.01 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated 文件：390.01 Kbytes 页数：5 Pages	HARRIS	HARRIS
IRF532	文件：354.18 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS 文件：354.18 Kbytes 页数：6 Pages	Samsung 三星	Samsung
IRF532	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V Description These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high power, high speed applications, such as switching power, supplies, UPS, AC and DC motor control, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits. ● Low RDS(on) ● VGS Rated at ±20 V ● 文件：180.59 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRF532	文件：157.16 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：157.16 Kbytes 页数：2 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
IRF532	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N - channel enhancement mode POWER MOS field effect transistors. Easy drive and very fast switching times make these POWER MOS transistors ideal for high speed switching applications. Applications include DC/DC converters, UPS battery chargers, s 文件：47.74 Kbytes 页数：3 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
IRF532FI	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N - channel enhancement mode POWER MOS field effect transistors. Easy drive and very fast switching times make these POWER MOS transistors ideal for high speed switching applications. Applications include DC/DC converters, UPS battery chargers, s 文件：47.74 Kbytes 页数：3 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
IRF532R	文件：390.01 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated 文件：390.01 Kbytes 页数：5 Pages	HARRIS	HARRIS
IRF533	文件：390.01 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated 文件：390.01 Kbytes 页数：5 Pages	HARRIS	HARRIS
IRF533	文件：157.16 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：157.16 Kbytes 页数：2 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
IRF533	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V Description These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high power, high speed applications, such as switching power, supplies, UPS, AC and DC motor control, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits. ● Low RDS(on) ● VGS Rated at ±20 V ● 文件：180.59 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

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详细参数

型号：
IRF53
功能描述：
MOSFET TO-220 N-Ch A-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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深圳市高捷芯城科技有限公司	IRF530A	onsemi(安森美)	24+	TO-220	8498	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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深圳市联世界科技有限公司	IRF530A	FAIRCHILD	24+/25+		96	原装正品现货库存价优	询价
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