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IRF530PBF	文件：3.55687 Mbytes Page：7 Pages	Dynamic dv/dt Rating, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements 文件：3.55687 Mbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF530PBF	文件：280.81 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF530S	文件：1.00811 Mbytes Page：8 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.00811 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF530S	文件：916.94 Kbytes Page：8 Pages	Halogen-free According to IEC 61249-2-21 文件：916.94 Kbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF530S	文件：171.61 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：171.61 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF530SPBF	文件：1.83154 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：1.83154 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF530SPBF	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：218.01 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF530STRLPBFA	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：218.01 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF530STRRPBFA	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：218.01 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF531	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 页数：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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详细参数

型号：
IRF53
功能描述：
MOSFET TO-220 N-Ch A-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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