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IRF234	文件：69.14 Kbytes Page：7 Pages	8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applica 文件：69.14 Kbytes 页数：7 Pages	INTERSIL	INTERSIL
IRF235	文件：69.14 Kbytes Page：7 Pages	8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applica 文件：69.14 Kbytes 页数：7 Pages	INTERSIL	INTERSIL
IRF236	文件：69.14 Kbytes Page：7 Pages	8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applica 文件：69.14 Kbytes 页数：7 Pages	INTERSIL	INTERSIL
IRF237	文件：69.14 Kbytes Page：7 Pages	8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applica 文件：69.14 Kbytes 页数：7 Pages	INTERSIL	INTERSIL
IRF4905P	文件：554.37 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF4905；Package：TO-220；-55V P-Channel MOSFET Features * VDS (V) =-55V * ID = -74A (VGS = -10V) * RDS(ON) 文件：554.37 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF5305PBF	文件：723.45 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF5305；Package：TO-220；-60V P-Channel MOSFET Features * VDS (V) = -60V * ID = -31A (VGS = -10V) * RDS(ON) 文件：723.45 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF5305S	文件：3.58041 Mbytes Page：8 Pages	丝印：IRF5305S；Package：TO-263；-55V P-Channel MOSFET Features VDS (V) =-55V ID = -31A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：3.58041 Mbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF5305STRL	文件：1.48095 Mbytes Page：8 Pages	丝印：IRF5305S；Package：TO-263；-55V P-Channel MOSFET Features * VDS (V) =-55V * ID = -31A (VGS = -10V) * RDS(ON) 文件：1.48095 Mbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7103TR	文件：420.2 Kbytes Page：9 Pages	丝印：IRF7103；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET Features * VDs (v= 50V * RDpsON) 文件：420.2 Kbytes 页数：9 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7104	文件：682.91 Kbytes Page：7 Pages	丝印：IRF7104；Package：SOP-8；-30V Dual P-Channel MOSFET Benefits • VDS (V)= -30V • ID = -2.3A • RDS(ON) 文件：682.91 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI

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技术参数

OPN：
IRF100B201
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
4.2 mΩ
ID @25°C max：
192 A
QG typ @10V：
170 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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