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IRF5305PBF	文件：723.45 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF5305；Package：TO-220；-60V P-Channel MOSFET Features * VDS (V) = -60V * ID = -31A (VGS = -10V) * RDS(ON) 文件：723.45 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF5305S	文件：3.58041 Mbytes Page：8 Pages	丝印：IRF5305S；Package：TO-263；-55V P-Channel MOSFET Features VDS (V) =-55V ID = -31A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：3.58041 Mbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF5305STRL	文件：1.48095 Mbytes Page：8 Pages	丝印：IRF5305S；Package：TO-263；-55V P-Channel MOSFET Features * VDS (V) =-55V * ID = -31A (VGS = -10V) * RDS(ON) 文件：1.48095 Mbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
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IRF5305	文件：3.58041 Mbytes Page：8 Pages	-55V P-Channel MOSFET Features VDS (V) =-55V ID = -31A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：3.58041 Mbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF5305	文件：124.32 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, pr 文件：124.32 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF5305	文件：3.15583 Mbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：3.15583 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF5305L	文件：1.22797 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low inte 文件：1.22797 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF5305
功能描述：
MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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