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IRF220	文件：135.19 Kbytes Page：3 Pages	Nanosecond Switching Speeds Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF220	文件：209.79 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF220-223	文件：165.53 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V N-ChannelPowerMOSFETs7A150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF2204	文件：141.6 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204	文件：338.51 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3.6mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2204L	文件：224.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturestothisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandim	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204LPBF	文件：256.45 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6m廓 , ID = 170A ) Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeatures	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204S	文件：224.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturestothisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandim	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204S	文件：263.11 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTO-263(D2PAK)packaging •Highspeedswitching •Lowgateinputresistance •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchinga	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2204SPBF	文件：256.45 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6m廓 , ID = 170A ) Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeatures	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated

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