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IRF100PW219	文件：1.03327 Mbytes Page：12 Pages	丝印：100PW219；Package：PG-TO247-3；MOSFET StrongIRFET™ Power MOSFET, 100 V Features •Verylowon‑resistanceRds(on) •ExcellentgatechargexRds(on)(FOM) •OptimizedQrr •175°Coperatingtemperature •ProductvalidationaccordingtoJEDECstandard •Optimizedforbroadestavailabilityfromdistributionpartners Benefits •Reducedconductionlosses •Ideal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF101	文件：146.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF1010E	文件：195.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A? •AdvancedProcessTechnology •UltraLowOn-Resistance •Dynamicdv/dtRating •175°COperatingTemperature •FastSwitching •FullyAvalancheRated Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveex	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EL	文件：123.94 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ELPBF	文件：218.72 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EPBF	文件：231.86 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ES	文件：123.94 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ESPBF	文件：218.72 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZ	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZ	文件：296.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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技术参数

OPN：
IRF100B201
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
4.2 mΩ
ID @25°C max：
192 A
QG typ @10V：
170 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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