IRF1010E中文资料IRF数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF1010E
功能描述	Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A?
文件大小	195.51 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	International Rectifier
企业简称	IRF
中文名称	International Rectifier官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-6-23 14:10:00
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IRF1010E规格书详情

• Advanced Process Technology

• Ultra Low On-Resistance

• Dynamic dv/dt Rating

• 175°C Operating Temperature

• Fast Switching

• Fully Avalanche Rated

Description

Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well

known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

产品属性

型号：
IRF1010E
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET N TO-220AB

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