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IRF1010ESPBF	文件：218.72 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：218.72 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1010ESPBF	文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：227.87 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1010ESPBF_15	文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：227.87 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1010EZ	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combi 文件：285.31 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010EZ	文件：338.8 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1010EZ	文件：296.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：296.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
IRF1010ESPBF
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET, 60V, 83A, 12 MOHM, 86.6 NC QG, D2-PAK
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 60V 84A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
功能描述：
MOSFET N 60V 84A D2-PAK
功能描述：
MOSFET, N, 60V, 84A, D2-PAK
功能描述：
MOSFET, N, 60V, 84A, D2-PAK; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
84A; Drain Source Voltage
Vds：
60V; On Resistance
Rds(on)：
12mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; Power Dissipation ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
MOSFET N-Channel 60V 84A D2PAK

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