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IRF1405ZL-7PPBF	文件：696.52 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 120A ) VDSS=55V RDS(on)=4.9mΩ ID=120A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtem	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF1405ZL-7P	文件：688.27 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=4.9mΩ ID=120A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtem	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 120A )

VDSS=55V RDS(on)=4.9mΩ ID=120A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtem

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IRF1405ZL-7P

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详细参数

型号：
IRF1405ZL-7PPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF1405ZL-7PPBF供应商更新时间2024-4-27 15:30:00

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