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IRF3205SPBF | HEXFET짰 Power MOSFET VDSS= 55V RDS(on)= 8.0mΩ ID= 110A Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFE 文件：277.34 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRF3205SPBF | Advanced Process Technology 文件：286.48 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | |
Advanced Process Technology 文件：286.48 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：286.48 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：266.96 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Advanced Process Technology 文件：618.88 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF |
详细参数
- 型号：
IRF3205SPBF
- 功能描述：
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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