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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF3205ZSTRLPBF | Advanced Process Technology 文件：385.59 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=64A) Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated) 文件：107.55 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.74 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
HEXFET짰 Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 0.008Ω ID = 64A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design tha 文件：276.1 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF |
详细参数
- 型号：
IRF3205ZSTRLPBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 | |||
INFINEON |
21+ |
TO-263 |
2000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
TO-263 |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||||
IR |
2021+ |
TO-263 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-263 |
15048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
MAXIMUM |
25+ |
TO-263 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
25650 |
新到现货,只做原装进口 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-263-3 |
7906 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 |
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