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IRF3808SPBF	文件：301.17 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description This Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved 文件：301.17 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3808SPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description This Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved 文件：264.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3808SPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：264.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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