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IRF520NSPBF	文件：405.26 Kbytes Page：10 Pages	Advamced {rpcess Technology Surface Mount Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：405.26 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF520NSPBF	文件：414.57 Kbytes Page：11 Pages	FAST SWITCHING 文件：414.57 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF520NSPBF_15	文件：414.57 Kbytes Page：11 Pages	FAST SWITCHING 文件：414.57 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF520NSTRLPBF	文件：414.57 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：414.57 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF520NSTRR	文件：195.99 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：195.99 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF520PBF	文件：224.76 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET HEXFET® Power MOSFET 文件：224.76 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF520NSPBF
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET, 100V, 9.5A, 200 MOHM, 16.7 NC QG, D2-PAK
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 9.7A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Bulk
功能描述：
MOSFET N 100V 9.5A D2-PAK
功能描述：
MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK
功能描述：
MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
9.7A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
200mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; Power ;RoHS
Compliant：
Yes

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