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IRF3415STRLPBF	文件：167.38 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
3415	文件：122 Kbytes Page：5 Pages	-4.0A竊?20VP-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
3415	文件：165.46 Kbytes Page：2 Pages	12VP-channelMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
3415	文件：114.81 Kbytes Page：1 Pages	Heyco®PGandMetricThreadedPlugs	Heyco Heyco
3415E	文件：161.74 Kbytes Page：2 Pages	9VP-channelMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
ACE3415B	文件：943.18 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACE3415BBMSH	文件：943.18 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ACE ACE Technology Co., LTD.
ADP3415	文件：399.01 Kbytes Page：10 Pages	DualMOSFETDriverwithBootstrapping GENERALDESCRIPTION TheADP3415isadualMOSFETdriveroptimizedfordrivingtwoN-channelFETsthatarethetwoswitchesinthenonisolatedsynchronousbuckpowerconvertertopology.EachdriversizeisoptimizedforperformanceinnotebookPCregulatorsforCPUsinthe20Arange.Thehigh-sid	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ADP3415	文件：166.22 Kbytes Page：12 Pages	DualMOSFETDriverwithBootstrapping GENERALDESCRIPTION TheADP3415isadualMOSFETdriveroptimizedfordrivingtwoN-channelFETsthatarethetwoswitchesinthenonisolatedsynchronousbuckpowerconvertertopology.EachdriversizeisoptimizedforperformanceinnotebookPCregulatorsforCPUsinthe20Arange.Thehigh-sid	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADP3415LRM-REEL	文件：166.22 Kbytes Page：12 Pages	DualMOSFETDriverwithBootstrapping GENERALDESCRIPTION TheADP3415isadualMOSFETdriveroptimizedfordrivingtwoN-channelFETsthatarethetwoswitchesinthenonisolatedsynchronousbuckpowerconvertertopology.EachdriversizeisoptimizedforperformanceinnotebookPCregulatorsforCPUsinthe20Arange.Thehigh-sid	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADP3415LRM-REEL	文件：399.01 Kbytes Page：10 Pages	DualMOSFETDriverwithBootstrapping GENERALDESCRIPTION TheADP3415isadualMOSFETdriveroptimizedfordrivingtwoN-channelFETsthatarethetwoswitchesinthenonisolatedsynchronousbuckpowerconvertertopology.EachdriversizeisoptimizedforperformanceinnotebookPCregulatorsforCPUsinthe20Arange.Thehigh-sid	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ADP3415LRMZ-REEL	文件：399.01 Kbytes Page：10 Pages	DualMOSFETDriverwithBootstrapping GENERALDESCRIPTION TheADP3415isadualMOSFETdriveroptimizedfordrivingtwoN-channelFETsthatarethetwoswitchesinthenonisolatedsynchronousbuckpowerconvertertopology.EachdriversizeisoptimizedforperformanceinnotebookPCregulatorsforCPUsinthe20Arange.Thehigh-sid	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ADP3415LRMZ-REEL	文件：166.22 Kbytes Page：12 Pages	DualMOSFETDriverwithBootstrapping GENERALDESCRIPTION TheADP3415isadualMOSFETdriveroptimizedfordrivingtwoN-channelFETsthatarethetwoswitchesinthenonisolatedsynchronousbuckpowerconvertertopology.EachdriversizeisoptimizedforperformanceinnotebookPCregulatorsforCPUsinthe20Arange.Thehigh-sid	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AIC3415	文件：251.96 Kbytes Page：11 Pages	1.2MHzSynchronousStep-UpConverter	AIC AIC
AM3415	文件：487.07 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM3415istheP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity.AdvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)lowgatechargeandoperationwithgatevoltageas1.5V. Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchori	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
AM3415A	文件：838.02 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM3415AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotested. TheAM3415AisavailableinSOT-23package. FEATU	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
AM3415B	文件：629.66 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET-20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION V DS20V V GS=±8V ID(A)= 4A R DS(ON)ON)=35mΩTyp..)4V5 R DS(ON)=45mΩTyp2V5 R DS(ON)ON)=55mΩTyp..)1V8 R DS(ON)70mΩTyp..)1V5 TheAM3415BisavailableinSOT-23Spackage. FEATURES ESD:3kv AvailableinSOT-23Spackage APPLICATIONS LoadSw	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
AO3415	文件：1.024089 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AO3415	文件：1.72217 Mbytes Page：3 Pages	P-ChannelMosfet ProductSummary Vos=-20V,ID=-4A RDS(ON)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司
AO3415	文件：116.47 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor [Alpha&OmegaSemiconductors] GeneralDescription TheAO3415usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.AO3415is	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商

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详细参数

型号：
IRF3415STRLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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