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IRF3415STRR	文件：167.38 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3415	文件：333.91 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FullyAvalancheRated •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤42mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP3415	文件：92.06 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.042ohm,Id=43A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3415PBF	文件：166.25 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3415PBF	文件：167.21 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
JMTL3415K	文件：193.012 Kbytes Page：4 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
JMTL3415KAEC	文件：939.122 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
JMTL3415KC	文件：625.031 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KI3415PDFN	文件：430.87 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KO3415	文件：170.66 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS

详细参数

型号：
IRF3415STRR
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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