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IRF3515S	文件：126.81 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A) Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss Specified (See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterrupt 文件：126.81 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF3515SPBF	文件：2.74862 Mbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss Specified (See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterrupt 文件：2.74862 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3515S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)	Infineon 英飞凌	Infineon
JA3515	文件：334.4 Kbytes Page：2 Pages	JA3515 - Transceiver Wireless Controller IC 文件：334.4 Kbytes 页数：2 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
LP3515	文件：596.35 Kbytes Page：7 Pages	High performance subsynchronous synchronous rectifier drive chip 文件：596.35 Kbytes 页数：7 Pages	LANDP 芯茂微	LANDP
MADDT3515	文件：1.86207 Mbytes Page：27 Pages	Technical reference AC Servo Motor & Driver 文件：1.86207 Mbytes 页数：27 Pages	PANASONICBATTERY 松下电器	PANASONICBATTERY

详细参数

型号：
IRF3515S
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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