选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-263 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
20000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
15000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
|
IRTO-263 |
65300 |
20+ |
一级代理/放心购买! |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
IRD2PAK |
720 |
08+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
|
Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
|||
|
深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
|||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
IRTO-263 |
1625 |
21+ |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
IRD2PAK |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
IRTO-263 |
6528 |
2018+ |
承若只做进口原装正品假一赔十! |
|||
|
深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
|
IRTO-263 |
8706 |
13+ |
||||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
IRTO-263(D |
7300 |
23+ |
专业优势供应 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
IRNA/ |
3970 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
|
深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
|
IRTO-263 |
29840 |
23+24 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
TH/韩国太虹TO-263 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
IRF3515STRLPBF采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF3515STRLPBF图片
IRF3515STRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3515STRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3515STRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件