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IRFP351	文件：215.5 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●ImprovedInducttiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3Ppackage	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP351	文件：170.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP351(R)	文件：67.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP351R	文件：170.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS351	文件：265.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS351	文件：343.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCI351D	文件：187.45 Kbytes Page：1 Pages	iscThyristors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KF351	文件：34.31 Kbytes Page：6 Pages	SingleOperationalAmplifier(JFET) Description TheKF351isJFETinputoperationalamplifierwithaninternallycompensatedinputoffsetvoltage.TheJFETinput deviceprovideswidebandwidth,lowinputbiascurrentsandoffsetcurrents. Features •Internallytrimmedoffsetvoltage:10mV •Lowinputbiascurrent:	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KPEG351	文件：141.04 Kbytes Page：5 Pages	PiezoAudioIndicator	KINGSTATEKingstate Electronics Corp. 志丰电子志丰电子股份有限公司	KINGSTATE
KPEG-351	文件：141.04 Kbytes Page：5 Pages	PiezoAudioIndicator	KINGSTATEKingstate Electronics Corp. 志丰电子志丰电子股份有限公司	KINGSTATE

详细参数

型号：
IRF351R
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-204AA

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更多IRF351R供应商更新时间2025-7-24 16:30:00

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