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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRD2-PAK

50000

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洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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IRSOP8LNB

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深圳市勤思达科技有限公司

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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IRD2-PAK

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深圳市威尔健半导体有限公司

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Infineon Technologies原装

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全新原装正品现货,支持订货

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25+23+

绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货

深圳市科达星科技有限公司

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IRD2-Pak

27500

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深圳市一线半导体有限公司

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IRD2-Pak

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IRF3707S

INFINEON/英飞凌TO-263

89630

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当天发货全新原装现货

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRF3707S

Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

9000

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原厂渠道,现货配单

深圳市柯尔基电子有限公司

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49820

23+24

主营全系列二三极管、MOS场效应管、

深圳市胜彬电子有限公司

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IRF3707S

IRD2-PAK

8000

22+
1+
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原装正品支持实单

京海半导体(深圳)有限公司

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IR新货TO-263

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原装现货假一罚十

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRF3707S

IRD2-Pak

6000

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十年配单,只做原装

深圳市安罗世纪电子有限公司

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IRF3707S

INTERNATIONAL RECTIFIERSMD

9310

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安罗世纪电子只做原装正品货

深圳市昌和盛利电子有限公司

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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRF3707SPBF价格

IRF3707SPBF价格：￥14.3205品牌：INTERNATIONAL

生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF3707SPBF多少钱，想知道IRF3707SPBF价格是多少？参考价：￥14.3205。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF3707SPBF批发价格及采购报价，IRF3707SPBF销售排行榜及行情走势，IRF3707SPBF报价。

IRF3707S资讯

IRF3707S MOSFET 30V 62A TO263 N沟道 IR

深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF3707S 30V 62A TO263

IRF3707S D2PAK MOSFET N 通道 30V IR全新原装进口

深圳市勤思达科技有限公司主营MOSFET场效应管，IGBT晶体管，全新原装，长期供应，现货热卖IRF3707S，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

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IRF3707S功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF3707SPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF3707STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF3707STRLPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH SMPS HEXFET 30V 12.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF3707STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF3707STRRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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