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IRFP352	文件：215.5 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●ImprovedInducttiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3Ppackage	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP352	文件：170.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP352(R)	文件：67.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP352R	文件：170.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS352	文件：264.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS352	文件：343.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCI352P	文件：204.04 Kbytes Page：1 Pages	iscThyristors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
J352	文件：40.26 Kbytes Page：8 Pages	SiliconP-ChannelMOSFET Features •Highpowergain •Excellentfrequencyresponse •Highspeedswitching •Wideareaofsafeoperation •Enhancement-mode •Goodcomplementarycharacteristics •Equippedwithgateprotectiondiodes Application Lowfrequencypoweramplifier Complementarypair	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
J352	文件：70.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Lowfrequencypoweramplifier Complementarypairwith2SK2220,2SK2221 Features •Highpowergain •Excellentfrequencyresponse •Highspeedswitching •Wideareaofsafeoperation •Enhancement-mode •Goodcomplementarycharacteristics •Equippedwith	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
KPEG352	文件：102.27 Kbytes Page：5 Pages	PiezoAudioIndicator	KINGSTATEKingstate Electronics Corp. 志丰电子志丰电子股份有限公司	KINGSTATE

详细参数

型号：
IRF352R
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-204AA

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更多IRF352R供应商更新时间2025-7-24 16:30:00

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