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IRFP352	文件：215.5 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ● Low RDS(on) ● Improved Inducttive ruggedness ● Fast switching times ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Low input capacitance ● Extended safe operating area ● Improved high temperature reliability ● TO-3P package 文件：215.5 Kbytes 页数：5 Pages	Samsung 三星	Samsung
IRFP352	文件：170.13 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：170.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP352	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET 400V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-3P	NJS	NJS
IRFP352(R)	文件：67.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：67.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP352R	文件：170.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：170.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Maximum Drain Source Voltage：
400V
Maximum Continuous Drain Current：
13A
Category：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFP352供应商更新时间2025-12-10 11:03:00

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