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IRF3515L	文件：126.81 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A) Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss Specified (See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterrupt 文件：126.81 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF3515S	文件：126.81 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A) Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss Specified (See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterrupt 文件：126.81 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF3515SPBF	文件：2.74862 Mbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss Specified (See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterrupt 文件：2.74862 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
JA3515	文件：334.4 Kbytes Page：2 Pages	JA3515 - Transceiver Wireless Controller IC 文件：334.4 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
IRF3515L
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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