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IRF3709ZSPBF	文件：374.03 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowRDS(on)at4.5VVGS ●LowGateCharge ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR/U3709Z	文件：1.9484 Mbytes Page：9 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3709Z	文件：450.16 Kbytes Page：7 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits VeryLowRDS(on)at4.5VVGS Ultra-LowGateImpedance *FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Features VDS(V)=30V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR3709Z	文件：360.22 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Applications HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse Lead-Free Benefits VeryLowRDS(on)at4.5VVGS Ultra-LowGateImpedance FullyCharacterizedAvala	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR3709Z	文件：1.9484 Mbytes Page：9 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3709Z	文件：337.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighFrequencySynchronousBuckConvertersForComputerProcessorPower •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6.5mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR3709Z	文件：217.06 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF3709ZSPBF
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH 6.3mOhm HEXFET 17nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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