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IRF3710LPBF	文件：279.47 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A ) VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710PBF	文件：185.06 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFETÆPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710PBF	文件：1.6614 Mbytes Page：7 Pages	57A,100VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRF3710S	文件：184.53 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025ohm,Id=57A) VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710PBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司相关企业：深圳市勤尚伟业电子有限公司	Infineon

详细参数

型号：
IRF3710LPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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