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IRF150	文件：210.79 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ●LOWRDS(on) ●ImprovedInductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolyslllcongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Highcurrent)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF150	文件：125.37 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V N-ChannelPowerMOSFET40A,60V/100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF150	文件：150.48 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRF International Rectifier	IRF
IRF150	文件：57.97 Kbytes Page：7 Pages	40A, 100V, 0.055 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF150	文件：44.9 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE FEATURES: ●Fastswitchingtimes ●LOWRDS(on)HDMOS™process ●Ruggedpolyslllcongatecellstructure ●Excellenthighvoltagestability ●Lowinputcapacitance ●Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS ●Switchingpowersupplies ●Motorcontrols ●AudioAmplifiers ●Inver	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRF150	文件：136.47 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ●LOWRDS(on) ●ImprovedInductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolyslllcongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Highcurrent)	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF150	文件：439.67 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,motorcontrolcircuits,UPSandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNellIRF150isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof42A,fastswitchingsp	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF150	文件：48.2 Kbytes Page：2 Pages	High Power,High Speed Applications DESCRIPTION •DrainCurrentID=40A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.055Ω(Max) •HighPower,HighSpeedApplications APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •UPS •Motorcontrols •Highenergypulsecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF150	文件：84.86 Kbytes Page：2 Pages	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IRF150	文件：22.09 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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详细参数

型号：
IRF150
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 38A 3PIN TO-204AE - Bulk
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 40A 4PIN TO-3 - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET, 100V, 38A, TO-204AE; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
38A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
55mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
2 ;RoHS
Compliant：
No
制造商：
Int'L Rectifier
制造商：
TT Electronics/Semelab
功能描述：
MOSFET N-Channel 100V 38A TO-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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