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IRF150P220	文件：1.14547 Mbytes Page：11 Pages	丝印：IRF150P220；Package：PG-TO247-3；StrongIRFETª Features • Very low RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) (FOM) • Optimized Qrr • 175°C operating temperature • Product validation according to JEDEC standard • Optimized for broadest availability from distribution partners 文件：1.14547 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRF150P220AKMA1	文件：1.14547 Mbytes Page：11 Pages	StrongIRFETª Features • Very low RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) (FOM) • Optimized Qrr • 175°C operating temperature • Product validation according to JEDEC standard • Optimized for broadest availability from distribution partners 文件：1.14547 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRF1503	文件：338.67 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1503LPBF	文件：336.52 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：336.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503PBF	文件：273.78 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：273.78 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1503PBF_15	文件：273.78 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：273.78 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1503S	文件：263.17 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：263.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1503SPBF	文件：336.52 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：336.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503SPBF	文件：336.52 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：336.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503SPBF_15	文件：336.52 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：336.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
TO-220
VDS max：
30.0V
RDS (on)(@10V) max：
3.3mΩ
RDS (on) max：
3.3mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
170.0A
ID max：
170.0A
ID (@ TC=25°C) max：
240.0A
Ptot max：
330.0W
QG ：
130.0nC
Mounting ：
THT
RthJC max：
0.45K/W
Qgd ：
41.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	IRF150	IR	24+	TO 3	161420	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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更多IRF150供应商更新时间2026-1-17 13:18:00

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