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IRF150P220	文件：1.14547 Mbytes Page：11 Pages	丝印：IRF150P220；Package：PG-TO247-3；StrongIRFETª Features • Very low RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) (FOM) • Optimized Qrr • 175°C operating temperature • Product validation according to JEDEC standard • Optimized for broadest availability from distribution partners 文件：1.14547 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF150P221	文件：1.11529 Mbytes Page：11 Pages	丝印：IRF150P221；Package：PG-TO247-3；StrongIRFET짧 文件：1.11529 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF150	文件：300 bytes Page：1 Pages	HiRel MOSFETs \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF150	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Power MOSFETs/ 40 A/ 60 V/100 V	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRF150-153	文件：125.37 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V N-Channel Power MOSFET 40A, 60 V/100 V 文件：125.37 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRF1503	文件：552.76 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, 文件：552.76 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1503L	文件：659.63 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temp 文件：659.63 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503LPBF	文件：253.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description This Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetiti 文件：253.75 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503PBF	文件：164.88 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, fas 文件：164.88 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1503S	文件：659.63 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temp 文件：659.63 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
TO-220
VDS max：
30.0V
RDS (on)(@10V) max：
3.3mΩ
RDS (on) max：
3.3mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
170.0A
ID max：
170.0A
ID (@ TC=25°C) max：
240.0A
Ptot max：
330.0W
QG ：
130.0nC
Mounting ：
THT
RthJC max：
0.45K/W
Qgd ：
41.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V

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