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IRF150-153	文件：125.37 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V N-ChannelPowerMOSFET40A,60V/100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF1503	文件：552.76 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisdesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,	IRF International Rectifier	IRF
IRF1503L	文件：659.63 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1503LPBF	文件：253.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	IRF International Rectifier	IRF
IRF1503PBF	文件：164.88 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisdesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fas	IRF International Rectifier	IRF
IRF1503S	文件：659.63 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1503SPBF	文件：253.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	IRF International Rectifier	IRF
IRF150DM115	文件：1.74566 Mbytes Page：14 Pages	Marking：M115；Package：MG-WDSON-5；MOSFET OptiMOS™5, 150 V Features Leadfree,ultrathindoublesidedcoolingpackage ExcellentgatechargexRos(on)product(FOM) Verylowon-resistanceRos(on) N-channelnormallevel 100avalanchetested	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF150P220	文件：1.14547 Mbytes Page：11 Pages	Marking：IRF150P220；Package：PG-TO247-3；StrongIRFETª Features •VerylowRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)(FOM) •OptimizedQrr •175°Coperatingtemperature •ProductvalidationaccordingtoJEDECstandard •Optimizedforbroadestavailabilityfromdistributionpartners	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF1503	文件：338.67 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IRF150
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 38A 3PIN TO-204AE - Bulk
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 40A 4PIN TO-3 - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET, 100V, 38A, TO-204AE; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
38A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
55mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
2 ;RoHS
Compliant：
No
制造商：
Int'L Rectifier
制造商：
TT Electronics/Semelab
功能描述：
MOSFET N-Channel 100V 38A TO-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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