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IRF1503S	文件：659.63 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temp 文件：659.63 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503S	文件：263.17 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：263.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1503SPBF	文件：253.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description This Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetiti 文件：253.75 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503SPBF	文件：336.52 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：336.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503SPBF	文件：336.52 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：336.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503SPBF_15	文件：336.52 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：336.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503STRLPBF	文件：336.52 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：336.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503S	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
D2PAK (TO-263)
VDS max：
30.0V
RDS (on)(@10V) max：
3.3mΩ
RDS (on) max：
3.3mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
130.0A
ID max：
130.0A
ID (@ TC=25°C) max：
190.0A
Ptot max：
200.0W
IDpuls max：
960.0A
QG ：
130.0nC
RthJA max：
62.0K/W
Operating Temperature min max：
-55.0°C 175.0°C
Pin Count ：
3.0Pins
Mounting ：
SMD
RthJC max：
0.75K/W
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
41.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V

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更多IRF1503S供应商更新时间2025-12-11 16:24:00

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