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IRF1503	文件：552.76 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, 文件：552.76 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1503	文件：338.67 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1503	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220AB 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF1503L	文件：659.63 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temp 文件：659.63 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503LPBF	文件：253.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description This Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetiti 文件：253.75 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503PBF	文件：164.88 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, fas 文件：164.88 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1503S	文件：659.63 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temp 文件：659.63 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503SPBF	文件：253.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description This Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetiti 文件：253.75 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503LPBF	文件：336.52 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：336.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1503PBF	文件：273.78 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：273.78 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
TO-220
VDS max：
30.0V
RDS (on)(@10V) max：
3.3mΩ
RDS (on) max：
3.3mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
170.0A
ID max：
170.0A
ID (@ TC=25°C) max：
240.0A
Ptot max：
330.0W
QG ：
130.0nC
Mounting ：
THT
RthJC max：
0.45K/W
Qgd ：
41.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V

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