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IRF240	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V N-ChannelPowerMOSFETs,18A,150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRF240	文件：149.25 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED PartNumberBVDSSRDS(on)ID IRF240200V0.18Ω18A TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateres	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF240	文件：48.28 Kbytes Page：2 Pages	Static Drain-Source On-Resistance DESCRIPTION ·DrainCurrentID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.18Ω(Max) APPLICATIONS ·Switchingpowersupplies ·Switchingconverters,motordriver,relaydriver ·Audioamplifierandservomotors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRF240	文件：101.73 Kbytes Page：2 Pages	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE PartNumberBVDSSRDS(on)ID IRF240200V0.18Ω18A TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-sta	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
IRF240	文件：211.06 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
IRF240	文件：19.38 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB
IRF240	文件：150.3 Kbytes Page：7 Pages	Repetitive Avalanche Ratings	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF240	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
IRF240	文件：111.97 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB
IRF240	文件：59.29 Kbytes Page：7 Pages	18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
IRF240-243	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V N-ChannelPowerMOSFETs,18A,150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRF240R	文件：168.9 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche Energy Rated N-Channel Power MOSFETs AvalancheEnergyRatedN-ChannelPowerMOSFETs TheIRF240R,IRF241R,IRF242RandIRF243RareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
IRF240_09	文件：111.97 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB
IRF240_15	文件：150.3 Kbytes Page：7 Pages	Repetitive Avalanche Ratings	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF240SMD	文件：22.63 Kbytes Page：2 Pages	N.CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB
240	文件：79.32 Kbytes Page：2 Pages	5x25mmMINIATUREFUSES	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
240	文件：79.03 Kbytes Page：2 Pages	MINIATUREFUSES-5x25mm	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
240	文件：202.07 Kbytes Page：4 Pages	DirectreplacementforBA15d	MARL Marl International Ltd
240ACDR	文件：2.06087 Mbytes Page：5 Pages	240W-SingleOutputAC-DCConverter-UniversalInput-Isolated&RegulatedIndustrialDINRailPowerSupply	GAPTECGAPTEC Electronic GAPTECGAPTEC Electronic
240ACDR_SC	文件：2.06087 Mbytes Page：5 Pages	240W-SingleOutputAC-DCConverter-UniversalInput-Isolated&RegulatedIndustrialDINRailPowerSupply	GAPTECGAPTEC Electronic GAPTECGAPTEC Electronic

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详细参数

型号：
IRF240
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 200V 18A 3PIN TO-204AE - Bulk
功能描述：
Single N-Channel 200 V 125 W 60 nC Hexfet Transistor Through Hole - TO-3
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 10V, 18A TO-204AE; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
18A; Drain Source Voltage
Vds：
10V; On Resistance
Rds(on)：
180mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
200V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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详细参数

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