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IRF1010ZLPBF	文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ZLPBF	文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ZPBF	文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ZPBF	文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ZS	文件：302.08 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ZS	文件：263.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1010ZSPBF	文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRFI1010	文件：109.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.012ohm,Id=49A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1010N	文件：109.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.012ohm,Id=49A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF1010ZLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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