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IRF130	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF130	文件：56.56 Kbytes Page：7 Pages	14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFET 14A,100V,0.160Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsar	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF130	文件：147.29 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A) ProductSummary TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors. Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superior	IRF International Rectifier	IRF
IRF130	文件：211.72 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF130	文件：48.16 Kbytes Page：2 Pages	High Power,High Speed Applications DESCRIPTION •DrainCurrentID=14A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max) •HighPower,HighSpeedApplications APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •UPS •Motorcontrols •Highenergypulsecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF130	文件：106.79 Kbytes Page：3 Pages	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS Features: •RepetitiveAvalancheRatings •Dynamicdv/dtRating •HermeticallySealed •SimpleDriveRequirements •EaseofParalleling	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF130	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF130	文件：22.11 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF130-133	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF1302	文件：523.539 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=180A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fast	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF130
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 14A 2PIN TO-204AA - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET 100V 14A TO-204AA
功能描述：
N CH MOSFET, 100V, 14A, TO-204AA
功能描述：
N CH MOSFET, 100V, 14A, TO-204AA; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
14A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
180mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
2;RoHS
Compliant：
No

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更多IRF130供应商更新时间2025-7-16 11:14:00

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