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IRF1010ZS	文件：302.08 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tempera ture, fast switc 文件：302.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010ZS	文件：263.64 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：263.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1010ZSPBF	文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：359.06 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF1010ZSPBF	文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：404.91 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010ZSPBF_15	文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：404.91 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010ZSTRLPBF	文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：404.91 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010ZS	文件：300 bytes Page：1 Pages	55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

更多IRF1010ZS供应商更新时间2025-9-30 15:44:00