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IRF1010EZSTRLP	文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combi 文件：413.46 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010N	文件：211.92 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=11mohm, Id=85A?? VDSS = 55V RDS(on) = 11mΩ ID = 85A Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device desig 文件：211.92 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF1010N	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1010NL	文件：146.82 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=85A?? Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：146.82 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

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更多IRF1010EZSTRLP供应商更新时间2025-10-4 14:14:00