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IRF1010NL	文件：146.82 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=85A?? Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：146.82 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1010NL	文件：1.07508 Mbytes Page：10 Pages	Fully Avalanche Rated Description The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low inter 文件：1.07508 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF1010NLPBF	文件：297.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：297.24 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1010NLPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：298.2 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1010NLPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：298.2 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1010NLPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Process Technology	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF1010NL
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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