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IRF140	文件：146.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF140	文件：144.37 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRF International Rectifier	IRF
IRF140	文件：55.94 Kbytes Page：7 Pages	28A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF140	文件：211.32 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF140	文件：103.6 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF140	文件：48.3 Kbytes Page：2 Pages	High Power,High Speed Applications DESCRIPTION •DrainCurrentID=27A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.085Ω(Max) •HighPower,HighSpeedApplications APPLICATIONS •Switchingpowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF140	文件：22.12 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF140	文件：147.86 Kbytes Page：7 Pages	Repetitive Avalanche Ratings	IRF International Rectifier	IRF
IRF140-143	文件：146.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF1404	文件：107.46 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A?? Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF140
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 28A 3PIN TO-204AE - Bulk
制造商：
INTERNATIONAL WIRE
功能描述：
MOSFET
功能描述：
N CH MOSFET, 100V, 28A, TO-204AE; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
28A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
77mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
2 ;RoHS
Compliant：
No
制造商：
TT Electronics/Semelab
功能描述：
MOSFET N-Channel 100V 28A TO-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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