| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
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IRTO-220/TO-263 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,现货供应IRF1407,欢迎咨询洽谈。 |
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4年
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IRVQFN |
7850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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1年
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INFINEONTO-220 |
76525 |
2025+ |
特价 支持实单 |
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11年
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IRTO-220 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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12年
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INFINEONTO-220 |
22000 |
26+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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3年
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IRTO-220 |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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6年
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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4年
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infineonTO-220 |
3850 |
25 |
绝对原装正品 |
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5年
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INFINEON/英飞凌TO220 |
10000 |
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现货,来电咨询 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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21年
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IRTO-220 |
6500 |
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专注原装芯片21年 一手货源 样品免费送 |
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11年
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VISHAY/威世TO-220 |
8750 |
26+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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13年
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IRTO-263 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
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INFINEONTube |
75000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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15年
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IRTO-220AB |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO-263AB |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO-263AB |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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11年
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IRTO-220 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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20年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
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原装现货可持续供货 |
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北京天阳诚业科贸有限公司是一家具有丰富的电子元器件分销经验的全球分销商 。我们坚持只做原装正品，在全世界内分销、收购过剩库存，公司备有大量现货，同时我们代购国外代理商的库存。可以为客户长期备货和跟原厂定期货。 TE， Tyco，AMP，MOLEX，，DELPHI，APTIV， JAE， YAZAKI，， JST，KET， Souriau， L-com，Schaff
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更多IRF140制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 28A 3PIN TO-204AE - Bulk 制造商:INTERNATIONAL WIRE 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 100V, 28A, TO-204AE; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):77mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: No 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:MOSFET N-Channel 100V 28A TO-3
IRF1404功能描述:MOSFET MOSFET, 40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404L功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1404LPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404PBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404S功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1404SPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404STRR功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1404STRRPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
