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IRF1302S	文件：229.09 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fast	IRF International Rectifier	IRF
ISP1302HN	文件：362.03 Kbytes Page：64 Pages	UniversalSerialBusOn-The-Gotransceiverwithcarkitsupport	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
ISP1302UK	文件：362.03 Kbytes Page：64 Pages	UniversalSerialBusOn-The-Gotransceiverwithcarkitsupport	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
KI1302DL	文件：58.78 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KRF1302S	文件：76.96 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTD1302	文件：204.21 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(AUDIOMUTING) AUDIOMUTINGAPPLICATION. FEATURES •HighEmitter-BaseVoltage:VEBO=12V(Min.). •HighReversehFE:ReversehFE=20(Min.)(VCE=2V,IC=4mA). •LowonResistance:RON=0.6ή(Typ.)(IB=1mA).	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTD1302	文件：462 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●AudioMutingApplication ●HighEmitter-BaseVoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
KTD1302	文件：1.2369 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●AudioMutingApplication ●HighEmitter-BaseVoltage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
KTD1302	文件：334.34 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors ■Features ●SmallFlatPackage ●AudioMutingApplication ●HighEmitter-BaseVoltage	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTD1302	文件：828.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features LowonResistance:Ron=0.6Ω(Typ.)(IB=1.0mA). Applications Audiomutingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

详细参数

型号：
IRF1302S
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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