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IRF1407S	文件：159.79 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078?? Id = 100A?? Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：159.79 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1407S	文件：189.06 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1407SPBF	文件：258.07 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078廓 , ID = 100A ) Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：258.07 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1407SPBF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：578.95 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF1407STRLPbF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：578.95 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF1407SPBF	文件：259.029 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：259.029 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1407SPBF_15	文件：259.029 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：259.029 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1407S	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF1407STRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
75 V
RDS (on) @10V max：
7.8 mΩ
ID @25°C max：
100 A
QG typ @10V：
160 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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