| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
10000 |
25+ |
现货,来电咨询 |
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11年
留言
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IRD2-PAK7-LEA |
6000 |
26+ |
原装现货假一赔十 |
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13年
留言
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IRTO-263-7 |
4000 |
21+ |
全新原装鄙视假货 |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK-7 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK-7 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263-7 |
699 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK-7 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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16年
留言
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IR |
65480 |
23+ |
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13年
留言
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IRTO-3(铁帽) |
19889 |
2015+ |
一级代理原装现货,特价热卖! |
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17年
留言
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IRTO-3 |
10000 |
24+ |
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19年
留言
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IRF132600 |
600 |
25+ |
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6年
留言
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IRTO-3 |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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4年
留言
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IRTO-3 |
7000 |
23+ |
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16年
留言
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IR/MOTTO-3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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16年
留言
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IR/MOTTO-3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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10年
留言
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IRTO-3 |
48505 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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5年
留言
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IRTO-3 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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15年
留言
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IR/MOTTO-3 |
1500 |
专业铁帽 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
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1年
留言
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IRTSSOP-14 |
8000 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
IRF132采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF132图片
IRF1324SPBF价格
IRF1324SPBF价格:¥11.3386品牌:INTERNATIONAL
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IRF132资讯
IRF1324S 24V240A N沟道 功率MOS管 TO263 IR整流器
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF1324S 24V240A N沟道 功率MOS管 TO263 IR整流器
IRF132中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF132制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF1324LPBF功能描述:MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1.65mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1324PBF功能描述:MOSFET MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1324S-7PPBF功能描述:MOSFET MOSFT 24V 340A 1.65mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1324SPBF功能描述:MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1.65mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1324STRL-7PP功能描述:MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1mOhm 180nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1324STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 24V 340A 1.65mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF132R功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA




























