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High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability • Lead-Free Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Pow 文件：711.87 Kbytes 页数：10 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
HEXFET Power MOSFET Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability • Lead-Free Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Pow 文件：280.06 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：266.26 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：266.26 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
IRF1324S-7P | 24V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用无铅 7 引脚 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度; | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
IRF1324S-7P
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 24V 340A 1.65mOhm 160nC Qg
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
D2PAK |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
639 |
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IR |
23+ |
D2-PAK |
3200 |
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IR |
24+ |
TO-263-5 |
5000 |
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IR |
23+ |
NA |
2750 |
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IR |
23+ |
TO-263-7 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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IR |
25+23+ |
TO2637 |
29818 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
INFINEON |
18+ |
D2PAK-7 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
IR |
12+ |
TO-263 |
2500 |
原装现货/特价 |
询价 |
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