IRF1302S中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF1302S规格书详情
描述 Description
Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFET utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Benefits
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
产品属性
- 型号：
IRF1302S
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
6180 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
IR |
11+ |
TO-263 |
14150 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-263 |
501252 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO-263 |
27272 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
14150 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
TO-263 |
50000 |
原装现货 |
询价 |
