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IRF1404ZLPBF | AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Features Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature 文件：329.6 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | |
IRF1404ZLPBF | Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Features Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature 文件：307.88 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | |
IRF1404ZLPBF | Advanced Process Technology 文件：307.88 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | |
IRF1404ZLPBF | Advanced Process Technology | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
IRF1404ZLPBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-262 |
193 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IR |
25+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/IR |
16+ |
TO-262 |
1120 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
44532 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-262 |
60000 |
询价 |
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