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IRF1404ZSTRL	文件：294.32 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404ZSTRLPBF	文件：307.88 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea. Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1404	文件：115.57 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=3.7mohm,Id=206A) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. Benefits AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Increas	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1404P	文件：115.57 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=3.7mohm,Id=206A) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. Benefits AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Increas	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1404PPBF	文件：148.17 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETHEXFET짰PowerMOSFET Description ThisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedruggednessinsingle	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1404PPBF	文件：205.2 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRL1404	文件：124.86 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRL1404	文件：339.15 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign,providethedesignerwithanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤4.0mΩ •Enhancementmode •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL1404L	文件：134.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET-RPowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRL1404LPBF	文件：653.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF1404ZSTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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