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IRF1405ZL	文件：291.64 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 4.9mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temp 文件：291.64 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1405ZL-7P	文件：688.27 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 4.9mΩ ID = 120A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tem 文件：688.27 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1405ZL-7PPBF	文件：696.52 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 120A ) VDSS = 55V RDS(on) = 4.9mΩ ID = 120A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tem 文件：696.52 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1405ZLPBF	文件：812.24 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 75A ) VDSS = 55V RDS(on) = 4.9mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temp 文件：812.24 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF1405ZL	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 55V 75A TO-262	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF1405ZL-7P	文件：300 bytes Page：1 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF1405ZL
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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