| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSO-8 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP8 |
7906200 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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IRSO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IR/INFINEONSOP-8 |
7400 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46290 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IRSOP-8 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IR2018+ |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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IORSOP8 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOP-8 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
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IORSOP/DIP |
19889 |
2015+ |
一级代理原装现货,特价热卖! |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
20000 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRSOP-8 |
92100 |
08+/05+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IORSOP8 |
895 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRSOP-8 |
7400 |
23+ |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
241 |
1846+ |
原装现货!随时可以看货!一片起卖! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRFNA/ |
5320 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOP-8 |
69000 |
23+ |
全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRSOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IOR原厂原装 |
24311 |
06+ |
只做全新原装真实现货供应 |
IRF1902采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF1902图片
IRF1902中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1902制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V)
IRF1902GPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1902GTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 20V 4.2A 85mOhm 5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1902PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 85mOhms 5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1902TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 20V 4.2A 85mOhm 5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
