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IRF1405S	文件：154.79 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=131A?? Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405S	文件：3.92361 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1405S	文件：263.54 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1405SPBF	文件：240.27 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 5.3m廓 , ID = 131A ) Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405SLPBF	文件：313.75 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF1405SPBF	文件：313.75 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405SPBF_15	文件：313.75 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405Z	文件：291.64 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=4.9mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405Z	文件：338.82 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1405ZL	文件：291.64 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=4.9mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF1405S
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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