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IRF1405ZS	文件：291.64 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 4.9mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temp 文件：291.64 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1405ZS	文件：299.72 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1405ZS-7P	文件：688.27 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 4.9mΩ ID = 120A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tem 文件：688.27 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1405ZS-7PPBF	文件：696.52 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 120A ) VDSS = 55V RDS(on) = 4.9mΩ ID = 120A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tem 文件：696.52 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1405ZSPBF	文件：812.24 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 75A ) VDSS = 55V RDS(on) = 4.9mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temp 文件：812.24 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF1405ZS	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF1405ZS-7P	文件：300 bytes Page：1 Pages	55V 单个 n 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 7引脚 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
D2PAK (TO-263)
VDS max：
55.0V
RDS (on)(@10V) max：
4.9mΩ
RDS (on) max：
4.9mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
110.0A
ID max：
110.0A
ID (@ TC=25°C) max：
150.0A
Ptot max：
230.0W
QG ：
120.0nC
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
RthJC max：
0.65K/W
Qgd ：
46.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V

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