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IRF1405ZS-7P	文件：688.27 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 4.9mΩ ID = 120A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tem 文件：688.27 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1405ZS-7PPBF	文件：696.52 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 120A ) VDSS = 55V RDS(on) = 4.9mΩ ID = 120A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tem 文件：696.52 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1405ZS-7P	文件：300 bytes Page：1 Pages	55V 单个 n 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 7引脚 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF1405ZS-7P	文件：253.22 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology 文件：253.22 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRF1405ZS-7P	文件：253.22 Kbytes Page：13 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：253.22 Kbytes 页数：13 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AUIRF1405ZS-7TRL	文件：253.22 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology 文件：253.22 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF

技术参数

VDS max：
55.0V
RDS (on)(@10V) max：
4.9mΩ
RDS (on) max：
4.9mΩ
Polarity ：
N
ID max：
100.0A
ID (@ TC=100°C) max：
100.0A
ID (@ TC=25°C) max：
150.0A
Ptot max：
230.0W
QG ：
150.0nC
Mounting ：
SMD
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V
Qgd ：
64.0nC
Moisture Sensitivity Level ：
1
RthJC max：
0.65K/W

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