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IRF1404LPBF | AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Features Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature 文件：329.6 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | |
IRF1404LPbF | HEXFET짰 Power MOSFET Description Seventh Generation HEXFETÆPower MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperat 文件：279.7 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | |
IRF1404LPBF | HEXFET짰 Power MOSFET Description Seventh Generation HEXFETÆPower MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature 文件：3.89112 Mbytes 页数：10 Pages | KERSEMI | KERSEMI | |
IRF1404LPBF | Advanced Process Technology 文件：279.7 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF |
详细参数
- 型号：
IRF1404LPBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO-262 |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-262 |
32360 |
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IR |
2025+ |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-262 |
1174 |
原装现货 |
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IR |
24+ |
TO-262 |
6000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
TO-262 |
询价 | ||
IR |
24+ |
原厂封装 |
6000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
383 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 |
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